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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BC858BLT3G 

产品描述

Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

内部编号

277-BC858BLT3G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:25
25+¥0.1311
3125+¥0.1283
最小起订量:25
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:10000
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:10000
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
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原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
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BC858BLT3G产品详细规格

规格书 BC858BLT3G datasheet 规格书
BC858BLT3G datasheet 规格书
BC85xxLT1 Series
文档 Glue Mount Process 11/July/2008
Gold to Copper Wire 08/May/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Wire Change 08/May/2007
标准包装 10,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 650mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 220 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 225mW
频率转换 100MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 30 V
集电极最大直流电流 0.1 A
最小直流电流增益 220@2mA@5V
最大工作频率 100(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 300 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 0.1
最低工作温度 -55
Maximum Transition Frequency 100(Min)
包装宽度 1.3
PCB 3
最大功率耗散 300
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
最大集电极发射极电压 30
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 2.9
包装高度 0.94
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 650mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
功率 - 最大 225mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 220 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Bipolar Small Signal
配置 Single
外形尺寸 0.94 x 2.9 x 1.3mm
身高 0.94mm
长度 2.9mm
最大的基射极饱和电压 0.9 V
最大集电极基极电压 30 V
最大基地发射极电压 5 V
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
宽度 1.3mm
工厂包装数量 10000
集电极 - 发射极饱和电压 - 0.65 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
直流集电极/增益hfe最小值 220 at 2 mA at 5 V
增益带宽产品fT 100 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 45 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO - 50 V
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 0.1 A
最大直流集电极电流 0.1 A
高度 0.94mm
最大基极-发射极饱和电压 0.9 V
长度 2.9mm
最大发射极-基极电压 5 V
安装类型 表面贴装
每片芯片元件数目 1
最大集电极-发射极电压 30 V
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
晶体管类型 PNP
最大集电极-发射极饱和电压 0.65 V
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 0.3 W
宽度 1.3mm
尺寸 0.94 x 2.9 x 1.3mm
最小直流电流增益 220
最大集电极-基极电压 30 V
封装类型 SOT-23
引脚数目 3
晶体管配置
最大工作频率 100 MHz
品牌 ON Semiconductor
系列 BC858BL
Pd - Power Dissipation 225 mW

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